講演情報
[15a-WL2_301-7]青色フェムト秒レーザーを用いた二光子励起によるワイドバンドギャップ半導体内部欠陥の三次元観察
〇(M1)鈴木 脩太1、東 侑暉1、中野 雅晴1,2、居波 渉1,3、川田 善正1,3 (1.静岡大工、2.静岡県工技研、3.静岡大学電子工学研究所)
キーワード：
ワイドバンドギャップ半導体、二光子励起フォトルミネッセンス、青色フェムト秒レーザー
AlNなどのバンドギャップが大きい半導体の欠陥構造を三次元的に評価するため、青色フェムト秒レーザーを用いた二光子励起フォトルミネッセンス(PL)法を用いた。本手法は線形吸収を抑制しつつ高い空間分解能を実現でき、材料の損傷を低減することが可能である。実証としてHVPE成長GaN結晶に対し内部観察を行い、結晶のc軸方向に延びる貫通転位を明瞭に可視化するとともに、三次元分布を明らかにした。