[15p-70A_101-1~13] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３） | 2026年第73回応用物理学会春季学術講演会

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シンポジウム(口頭講演)シンポジウム：原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３）

[15p-70A_101-1~13]原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３）

2026年3月15日(日) 13:30 〜 18:00

70A_101 (70周年記念講堂)

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー英語発表

[15p-70A_101-1]Computation of Al₂O₃ ALD by trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and neural network potential

〇(M2)Yichen ZOU¹, Yuxuan Wu¹, Jun Yamaguchi¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.The Univ. Tokyo)

13:45 〜 14:00奨励賞エントリー英語発表

[15p-70A_101-2]Study of the desorption effect on the adsorption of Trimethylaluminum and water ALD

〇Yuxuan Wu¹, Noboru Sato¹, Atsuhiro Tsukune¹, Yukihiro Shimogaki¹ (1.Univ. Tokyo)

14:00 〜 14:30

[15p-70A_101-3]先端LSI 向け3D ナノデバイスに必要不可欠なAtomic-Layer Process

〇若林整¹ (1.東京科学大学)

14:30 〜 15:00

[15p-70A_101-4]高純度薄膜の原子層堆積用ガリウムプリカーサーの開発

〇水谷文一¹ (1.高純度化学研)

15:15 〜 15:45

[15p-70A_101-5]Atomic Scale Processing for Quantum Applications

〇伊藤昌平¹、Shen ChunTing¹、Nick Chittock² (1.OIKK、2.OIPT)

15:45 〜 16:00

[15p-70A_101-6]低ダメージAtomic Layer Etchingによるコンタクト特性改善

〇平田瑛子¹、深沢正永¹、太田裕之¹、八木下淳史¹、上田哲也¹、間部謙三¹、水林亘¹、林喜宏¹、昌原明植¹ (1.産総研先端半導体研究センター)

16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[15p-70A_101-7]熱及びプラズマ原子層堆積法によるHfO₂薄膜のHFエッチング特性の比較

〇古谷直大¹、松尾倖平¹、小林貴之¹ (1.サムコ(株))

16:15 〜 16:30

[15p-70A_101-8]ヒドラジンを活用したSiN-ALDの高スループット化と選択成長の実現

〇(D)村田逸人^1,2、和田吉史²、清水秀治²、百瀬健³ (1.熊大院自、2.大陽日酸株式会社、3.熊大半導体)

16:30 〜 16:45

[15p-70A_101-9]Mo(CO)₆を原料としたMo-CVD/ALDへのNH₃添加効果の検討

〇永井総雅¹、小原聡顕¹、山口潤¹、佐藤登¹、大髙雄平¹、玉置直樹¹、筑根敦弘¹、霜垣幸浩¹ (1.東大院工)

17:00 〜 17:15

[15p-70A_101-10]その場分光エリプソメトリ計測を用いた Co-ALD 選択成長プロセスの開発

〇玉置直樹¹、山口潤¹、佐藤登¹、筑根敦弘¹、霜垣幸浩¹ (1.東大院工)

17:15 〜 17:30

[15p-70A_101-11]汎用機械学習力場を用いたALD precursorの吸着自由エネルギー計算に基づく蒸気圧予測モデルの検討

〇浅野裕介¹ (1.Matlantis株式会社)

17:30 〜 17:45

[15p-70A_101-12]NNP分子力学による新規Co-ALDプロセスの設計

〇(P)佐藤登¹、谷地啓輔¹、星谷尚亨²、山内昭佳²、匂坂重仁²、岸川洋介²、山口潤¹、玉置直樹¹、筑根敦弘¹、霜垣幸浩¹ (1.東大院工、2.ダイキン工業)

17:45 〜 18:00

[15p-70A_101-13]機械学習ポテンシャルを用いた Co-ALD 選択成長プロセスの表面反応解析