セッション詳細
[15p-70A_101-1~13]原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３）
2026年3月15日(日) 13:30 〜 18:00
70A_101 (70周年記念講堂)
座長：廣瀬 文彦(山形大)、 唐橋 一浩(名大)、 東雲 秀司(東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ)
午後は2件の英語一般講演に続き，日本語セッションとして招待講演3件と一般講演8件を行います。招待講演では，先端3DナノデバイスにおけるALPの位置づけ，高純度ガリウムプリカーサー開発，量子応用を見据えた原子スケールプロセシングなど，ALPの将来像を提示します。一般講演では，低ダメージALE，選択成長，高スループット化に加え，KMCやNNP等による反応解析とプロセス最適化などの成果が集結します。
Sponsors
[15p-70A_101-1]Computation of Al2O3 ALD by trimethylaluminum with Kinetic Monte Carlo and neural network potential
〇(M2)Yichen ZOU1, Yuxuan Wu1, Jun Yamaguchi1, Noboru Sato1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.The Univ. Tokyo)
[15p-70A_101-2]Study of the desorption effect on the adsorption of Trimethylaluminum and water ALD
〇Yuxuan Wu1, Noboru Sato1, Atsuhiro Tsukune1, Yukihiro Shimogaki1 (1.Univ. Tokyo)
[15p-70A_101-5]Atomic Scale Processing for Quantum Applications
〇伊藤 昌平1、Shen ChunTing1、Nick Chittock2 (1.OIKK、2.OIPT)
[15p-70A_101-6]低ダメージAtomic Layer Etchingによるコンタクト特性改善
〇平田 瑛子1、深沢 正永1、太田 裕之1、八木下 淳史1、上田 哲也1、間部 謙三1、水林 亘1、林 喜宏1、昌原 明植1 (1.産総研 先端半導体研究センター)
[15p-70A_101-8]ヒドラジンを活用したSiN-ALDの高スループット化と選択成長の実現
〇(D)村田 逸人1,2、和田 吉史2、清水 秀治2、百瀬 健3 (1.熊大院自、2.大陽日酸株式会社、3.熊大半導体)
[15p-70A_101-9]Mo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDへのNH3添加効果の検討
〇永井 総雅1、小原 聡顕1、山口 潤1、佐藤 登1、大髙 雄平1、玉置 直樹1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
[15p-70A_101-10]その場分光エリプソメトリ計測を用いた Co-ALD 選択成長プロセスの開発
〇玉置 直樹1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
[15p-70A_101-12]NNP分子力学による新規Co-ALDプロセスの設計
〇(P)佐藤 登1、谷地 啓輔1、星谷 尚亨2、山内 昭佳2、匂坂 重仁2、岸川 洋介2、山口 潤1、玉置 直樹1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工、2.ダイキン工業)
[15p-70A_101-13]機械学習ポテンシャルを用いた Co-ALD 選択成長プロセスの表面反応解析
〇玉置 直樹1、山口 潤1、佐藤 登1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)