[15p-70A_101-1~13] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３）

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[15p-70A_101-7] 熱及びプラズマ原子層堆積法によるHfO₂薄膜のHFエッチング特性の比較

〇古谷 直大¹、松尾 倖平¹、小林 貴之¹ (1.サムコ(株))

キーワード：

原子層堆積法、HfO2 薄膜、HF エッチング

HfO₂薄膜は半導体デバイス用絶縁膜・保護膜として用いられており、HF系溶液に対する薬液耐性は重要な特性である。HfO₂薄膜の HF 系エッチング特性は成膜条件や膜構造に依存することが報告されているが、成膜手法の違いに着目した耐性及び膜状態変化の系統的評価は十分ではない。
本研究では、PE-ALD(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition)及びThermal-ALDにより成膜したHfO₂薄膜についてHF系薬液のエッチング特性を比較評価し、成膜手法が耐性および膜状態変化に及ぼす影響を検討した。