[15p-70A_101-1~13] 原子層プロセス（ALP：Atomic Layer Process）の解析技術と応用技術（３）

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[15p-70A_101-8] ヒドラジンを活用したSiN-ALDの高スループット化と選択成長の実現

〇(D)村田 逸人^1,2、和田 吉史²、清水 秀治²、百瀬 健³ (1.熊大院自、2.大陽日酸株式会社、3.熊大半導体)

キーワード：

原子層堆積法、選択成長、ヒドラジン

本研究では、既存窒化剤であるアンモニアに対し、より反応性が高いヒドラジンを用いたSiN-ALDを実施した。本発表では、ヒドラジン活用により、インキュベーションサイクルの低減 (高スループット化) ならびに選択性の強化を両立できる手法を提案する。