講演情報
[15p-70A_101-9]Mo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDへのNH3添加効果の検討
〇永井 総雅1、小原 聡顕1、山口 潤1、佐藤 登1、大髙 雄平1、玉置 直樹1、筑根 敦弘1、霜垣 幸浩1 (1.東大院工)
キーワード：
モリブデン、ボトムアップフィル、抑制剤
次世代ULSIデバイスの配線材料としてMoが期待されている。高アスペクト比構造への完全な埋め込みと低抵抗化のためにはボトムアップフィル製膜が望ましい。Cu電解メッキでは抑制剤の添加により、トレンチ上部の製膜を阻害することでボトムアップフィルを実現している。これを気相成長に応用すべく、今回はMo(CO)6を原料としたMo-CVD/ALDにおいてNH3の添加による原料の吸着阻害効果について検討した。