講演情報
[15p-M_124-1]WSe2へのNbポストドープによるMirror Twin Boundary 形成
〇(M2)田中 一樹1、西村 知紀1、金橋 魁利1、中嶋 まい2、掛谷 尚史2、麻生 浩平2、大島 義文2、Jui-Han Fu3、Vincent Tung3、長汐 晃輔1 (1.東大マテ工、2.JAIST、3.東大化シス)
キーワード：
二次元材料、TMDC、ドーピング
間欠フラックス法によるポストドープNb-WSe2をHAADF-STEMで解析し，WサイトNb置換（最大11.3%）とMTBループ形成を確認した。MTB周辺は遷移金属過剰で，表面吸着Nbの拡散・格子取り込みによる置換機構を示唆する。低フラックス化と欠陥量制御が高濃度化が鍵である。