講演情報
[15p-M_124-11]ヤヌスWSH-半金属コンタクトを用いた単層WS2電界効果トランジスタの作製と評価
〇(M1)堀 翔馬1、林 靖彦1、鈴木 弘朗1 (1.岡大院環境生命自然)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ、ヤヌスTMDC
ヤヌスWSH-半金属コンタクトを用いた接触抵抗低減による単層WS2電界効果トランジスタ（FET）の電気特性向上を試みた．単層WS2のコンタクト部に水素プラズマ処理することでヤヌスWSHを形成した後，電極に半金属Sbを用いてFETを作製した．通常のWS2-Sbコンタクトの場合と比較してサブスレッショルド係数は約1/3，電界効果移動度は約10倍に向上し，電気的特性の大幅な改善を実証した．