講演情報

17:00 〜 17:15

[15p-M_124-12]電極蒸着で生じた歪みによるWSe₂ FETの電気特性の変化

〇中島隆一¹、西村知紀¹、金橋魁利¹、上野啓司²、遠藤尚彦³、宮田耕充³、長汐晃輔¹ (1.東京大、2.埼玉大、3.NIMS)

WSe2、p型FET、Strain

電極蒸着で生じた歪みによるWSe₂ FETの電気特性変化を観測した．CVDで成長した連続膜を用いることにより，歪みによるバンドアライメントの変調を推測できた．