[15p-M_124-1~16] 17.3 層状物質

14:45 〜 15:00

[15p-M_124-4] 元素置換ドープTMDCを用いた面内トンネルFETにおけるボルツマン限界以下サブスレッショルドスイングの実証

〇金橋 魁利¹、西村 知紀¹、上野 啓司²、長汐 晃輔¹ (1.東大マテ工、2.埼玉大院理工)

キーワード：

二次元材料、トンネルFET、遷移金属ダイカルコゲナイド