講演情報
[15p-M_124-5]ALDによるWSe2へのHigh-κ絶縁膜直接成長: UV-O3処理による界面制御
〇榎本 璃玖1、松田 健生1、柯 梦南2、クリューガー ピーター1、青木 伸之1 (1.千葉大融合理工、2.横浜国大)
キーワード：
遷移金属ダイカルコゲナイド、2次元物質、high-k 絶縁膜
次世代半導体材料のWSe₂は、表面の化学的不活性さからALD法による絶縁膜の均一成膜が困難である。本研究では、室温でのUV-O₃照射により表面にSe空孔形成と酸素置換を促し、極性を導入することでALD核生成を制御する手法を検討した。照射40分で平滑なAl₂O₃膜の成膜を確認し、この条件がFETの電気特性や結晶構造に与える影響をAFMやラマン分光で解析した。物理的変化とデバイス特性の相関を報告する。