[15p-PA2-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[15p-PA2-12] 有限要素法によるInAs/GaAs(111)Aヘテロ界面構造の光電流特性シミュレーション

〇川津 琢也¹、石田 暢之¹、間野 高明¹ (1.物材機構)

キーワード：

界面準位、InAs/GaAs(111)Aヘテロ構造、光電流特性

n-InAs/i-GaAs(111)A ヘテロ構造を用いた赤外検出器の光応答機構を明らかにするため、ドリフト–ディフュージョンモデルに基づく有限要素法解析を行った。実験で得られた光電流特性は、界面準位を導入したモデルでのみ再現でき、界面の準位が電荷捕獲を通じてバンド屈曲を生じさせることが分かった。さらに、界面準位での電子・正孔再結合過程とi‑GaAs層の移動度が光応答に重要であることを示した。