[15p-PA2-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[15p-PA2-2] InP/Si 基板上歪量子井戸構造の光学特性評価

〇ホルト 瑞樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大理)

キーワード：

半導体、レーザ、シリコン

我々は、InP薄膜をシリコン基板に直接貼付し、MOVPE 法でレーザ 素子作製に取り組んでいる。ここでは、Ga 組成比を変化した量子井戸構造の光学特性として、フォトルミネッセンス（PL）測定により、歪量、InP 薄膜と Si 基板の貼付時に発生するボイドの影響しを検討したので報告する。