[15p-PA2-1~13] 3.12 半導体光デバイス

[15p-PA2-4] 銀ナノ粒子ボンディングによるInP系半導体レーザの放熱改善

〇(B)ＰＥＮＧ ＨＡＯ¹、ホルト 瑞樹¹、富永 幸輝¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：

半導体レーザ、シリコンフォトニクス、ボンディング

Si基板上へのInP系光デバイス異種集積では、自己加熱に起因する室温CW動作の再現性向上が課題である。そこで本研究では、半導体レーザ素子を銀ナノ粒子を用いてCu板へボンディングし、放熱改善による発振特性（slope効率、Duty比）の向上を検討した。