講演情報
[15p-S4_203-1][第3回シリコン系半導体エレクトロニクス若手奨励賞（名取研二若手奨励賞）受賞記念講演 ] μCLS法によるスパッタSi膜の(001)単結晶帯成長とデバイス応用
〇野須 涼太1 (1.島根大)
キーワード：
半導体、トランジスタ、シリコン
次世代デバイス実現には絶縁体上 Si 単結晶形成が求められる。本研究室ではマイクロシェブロ ンレーザー走査(μCLS)法によるSiO2上のSi単結晶帯成長と低温高性能TFT動作を実証してきた。 本講演では、各種成膜法への結晶方位制御の適用と、デバイス応用への展開について紹介する。