[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-S4_203-2] S値63.9±0.39mV/decを有するFDSOI-pMOSFETの作製と評価

〇(B)今山 輝一¹、野須 涼太¹、葉 文昌¹ (1.島根大)

キーワード：

SOI、MOSFET

我々は、クリーンルームが不要でスパッタ成膜法だけで石英基板上に半導体デバイス回路を形成する3DICファブを提案している[1]。独自技術でSOI基板上にpMOSFETを作製するプロセスを確立したので、その特性について紹介する。