[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[15p-S4_203-4] (001)μCLS-Si 単結晶帯に形成した高性能 SOQ MOSFET

〇(M2)野須 涼太¹、葉 文昌¹ (1.島根大)

キーワード：

半導体、トランジスタ、シリコン

3D-LSI の実現には、SiO₂ 上へ結晶配向制御された単結晶薄膜の形成技術が求められ る。独自のマイクロシェブロンレーザー走査(μCLS)法により Si/Ge の(001)結晶方位制御を実現し、Siでは全スパッタ工程で単結晶相応の特性を実証した。しかし、単結晶帯両脇の微結晶により、特性は SOI-MOSFET に及ばなかった。本研究では、微結晶領域を除去した Si 帯へ高温プロセス で SOQ MOSFET を作製し、同一プロセスで作製した参照 SOI MOSFETと特性を比較した。