[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:15 〜 15:30

[15p-S4_203-6] イオン注入されたSi基板のマイクロ波加熱とレーザ加熱の比較

〇藤井 知¹、吉田 英恵¹、佐藤 和重^2,4、上殿 明良³ (1.沖縄高専、2.坂口電熱、3.筑波大、4.Minimal fab推進機構)

キーワード：

ミニマルファブ、マイクロ波加熱、レーザ加熱

Si ベース MOSFET の 2 nm 技術ノード実現には、キャリア濃度の精密制御と迅速な熱処理が重要である。レーザーアニールは高温短時間処理に優れる一方、従来のマイクロ波加熱研究は電磁場評価が不十分で、非加熱効果の説明にも課題がある。藤井らは TM010 共振器で低温活性化を示したが電場集中によるプラズマ発生が問題であった。本研究では電場集中を抑える TE100 共振器を試作し、B 注入 Si のマイクロ波焼鈍とレーザ焼鈍を比較し、欠陥評価を含めて検討した。