講演情報
[15p-S4_203-7]イオン注入法とKrFエキシマレーザーアニールを用いたSiへのBドーピング
〇(M1)楢崎 拓海1、片山 慶太1,2、劉 一帆1、薮田 久人1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトンNextGLP)
キーワード：
エピタキシャル成長、KrFエキシマレーザー、ドーピング
本研究では、イオン注入法によってB原子をSi基板表面に注入し、KrFエキシマレーザーを照射してレーザーアニールを行うことで、Si基板へのBドーピングを試みた。レーザー照射後サンプルのシート抵抗を測定したところ、照射領域ではフルエンスの増大に伴いシート抵抗が減少した。また、1.2 J/cm2以上のフルエンスでは、シート抵抗の減少の度合いが小さくなった。