[15p-S4_203-1~16] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

15:45 〜 16:00

[15p-S4_203-8] FLAを用いたInZnOxチャネル薄膜トランジスタの高移動度化

〇植野 雄守¹、Peng Li-Chi²、Chou Tsung-Te³、Chang Edward Yi²、Lin Chun-Hsiung²、井ノ上 健二¹、満田 勝弘¹、加藤 慎一¹ (1.SCREEN SPE、2.國立陽明交通大學、3.國家儀器科技研究中心)

キーワード：

フラッシュランプアニール、FLA、結晶化