[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

16:30 〜 16:45

[15p-SL_101-11] Sc_0.4Al_0.6Nバッファ層を用いたSc50%添加Sc_0.5Al_0.5N圧電薄膜の成長

〇勝又 彩馨^1,2、柳谷 隆彦^1,2 (1.早大先進理工、2.材研)

キーワード：

圧電体

ScAlNは高い電気機械結合係数k_t²を持つことから、BAWフィルタの圧電薄膜材料として広く使われている。Scの量が増えるほど、k_t²は増加していくが、Sc濃度が43%を超えるとウルツ鉱から非圧電層の立方晶へと相転移が起こる。
本研究では、バッファ層にSc40%添加ScAlNエピタキシャル層を用いることによって、Sc_0.5Al_0.5Nの抗電界をSc40%ドープScAlN圧電薄膜のものと比較することで添加効果を調査した。