[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

17:15 〜 17:30

[15p-SL_101-13] ScAlN/AlN/GaNヘテロ構造の作製と強誘電性の評価

〇佐藤 早和紀¹、池田 和久¹、前田 拓也²、舟窪 浩³、小林 篤¹ (1.理科大院先進工、2.東大院工、3.科学大物院)

キーワード：

強誘電体材料、エピタキシャル成長、スパッタリング