[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

17:30 〜 17:45

[15p-SL_101-14] 強誘電体メモリ応用に向けたPt/(Al_0.9Sc_0.1)N/Ptキャパシタの30 nm膜厚スケーリング

〇(D)道古 宗俊^1,2、松井 尚子¹、入澤 寿和¹、恒川 孝二¹、Nana Sun²、中村 美子²、岡本 一輝²、舟窪 浩² (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)

キーワード：

AlScN、ロジック混載メモリ、強誘電体メモリ

(Al,Sc)N膜は残留分極値が大きく、優れた熱処理耐性を持つことから次世代型不揮発性メモリ向け材料の有力な候補である。我々はメモリ素子の薄膜化について評価を行い、Pt下部電極膜厚5 nm、(Al_0.9Sc_0.1)N膜厚20 nm、Pt上部電極膜厚5 nmの、スタック総膜厚30 nmの薄膜化に成功した。本発表では、Pt上部電極の薄膜化が強誘電特性に及ぼす影響について報告する。