[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

17:45 〜 18:00

[15p-SL_101-15] スタック膜厚40 nm Pt/(Al_0.9Sc_0.1)N/Ptキャパシタの300 mm Siウエハ実装に向けた成膜プロセス評価

〇(D)道古 宗俊^1,2、松井 尚子¹、入澤 寿和¹、恒川 孝二¹、岡本 一輝²、舟窪 浩² (1.キヤノンアネルバ、2.東京科学大)

キーワード：

AlScN、ロジック混載メモリ、300 mm Siウエハ

(Al,Sc)N膜は大きな残留分極値を持つことから、強誘電体メモリ向け材料として研究されている。強誘電体材料を不揮発性メモリとして実装するためには、最先端メモリプロセスに広く用いられている300 mm径のSiウエハへの適用が必要不可欠である。本研究では、キャパシタ構造の総膜厚を40 nmとして成膜したPt/(Al_0.9Sc_0.1)N/Ptキャパシタにおける、300 mm径のSiウエハ上での評価を行った。