[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

18:00 〜 18:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-16] Si基板上AlScNエピタキシャル薄膜の強誘電特性

〇青木 悠佑¹、安岡 功樹¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大院工)

キーワード：

強誘電体薄膜、AlScN、ウルツ鉱構造

Si基板上に作製されたAlScN薄膜は配向膜の報告が中心であり、エピタキシャル薄膜に関する報告ではAl₂O₃基板が主に用いられている。そこで本研究では、TiNをバッファ層として用いることでSi基板上にAlScN薄膜をエピタキシャル成長させ、結晶性を確認するとともに強誘電特性を評価した。