[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

18:15 〜 18:30奨励賞エントリー

[15p-SL_101-17] エピタキシャル成長したPt/AlScN/TiNヘテロ構造の電気伝導性

〇安岡 功樹¹、青木 悠佑¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大院工)

キーワード：

強誘電体薄膜、AlScN、強誘電体ダイオード

大きな自発分極値とCMOS親和性を有するAl_1-xSc_xN（AlScN）は、強誘電性が発見されて以来、次世代のメモリ材料として期待されている。本研究では、FeDの作製を目的として、Si上にPt及びTiN電極でエピタキシャルAlScN薄膜を挟んだ金属/強誘電体/金属構造を作製した。得られた電気特性から、電極間の仕事関数差および強誘電体の分極の状態が、伝導機構に与える影響について調べた。