[15p-SL_101-1~17] CS.4 6.1 強誘電体薄膜、15.4 III-V族窒化物結晶のコードシェアセッション

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-2] NbAlN/AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造の作製と電気特性評価

〇奥田 朋也¹、黒木 颯太²、若本 祐介³、前田 拓也³、池田 和久^1,2、小林 篤^1,2 (1.理科大院先進工、2.理科大先進工、3.東大院工)

キーワード：

NbAlN、GaN、HEMT