講演情報
[15p-SL_101-7]PLD法を用いたY1-xAlxN薄膜の作製と構造物性評価
〇高木 亮佑1、橋本 收平1、山本 一輝1、岩崎 光志1、中嶋 誠二1、藤谷 海斗1、堀田 育志1 (1.兵庫県立大工)
キーワード：
窒化アルミニウム、イットリウム、パルスレーザー堆積法
AlNの圧電性能向上には、Alサイトへの3価イオンドープ、特に高価なSc ドープが不可欠である。近年、より低コストなY が注目されるが、結晶性の低下や酸化に起因する薄膜品質の劣化により、高固溶量における高圧電性が実現されていない。そこで、我々は先行研究の報告例がないPLD法によりYAlN薄膜を形成し、他手法と比較して高結晶な薄膜形成が可能なことを明らかにした。本発表では形成したYAlNの原子組成比と圧電特性について報告する。