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16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[15p-SL_101-9]GaN上スパッタエピタキシャル成長NbAlN薄膜のX線分光測定による表面酸化状態評価

〇佐々木洸¹、武田崇仁¹、棟方晟啓¹、小林正起¹、藤森淳¹、奥田朋也²、黒木颯太²、小林篤²、前田拓也¹ (1.東大、2.東京理科大)

キーワード：

NbAlN、X線分光法、表面酸化

NbAlN薄膜をスパッタリング法によってGaN上に成長させ，X線光電子分光法(XPS)およびX線吸収分光法(XAS)を用いて化学結合状態を調べ，その表面酸化状態を評価した．XPS Nb 3dスペクトルでは，入射光のフォトンエネルギーの小さな測定ほど結合エネルギーの高い成分が相対的に増加したことから，試料表面約1–2 nmで顕著に表面酸化したことが示唆される．Nb組成の増加に伴い結合エネルギーの高い成分が相対的に減少したことから，NbはAlよりも酸素親和性が低く，Nb組成が高いほど表面酸化を抑制できる可能性が示唆される．Nb M端のXASスペクトルは，O_h対称性を反映しており，試料表面のNb周りはO_h対称性を有する立方晶のような構造であることが示唆される．

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