[15p-W2_401-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[15p-W2_401-11] InGaN多重量子井戸における再結合速度の量子井戸分離評価とInGaN下地層構造における発光増強機構の検討

〇(M2)新保 樹¹、土佐 宏樹¹、森 恵人¹、山口 敦史¹、岩満 一功²、冨谷 茂隆² (1.金沢工大、2.奈良先端大)

キーワード：

InGaN量子井戸、発光増強、輻射・非輻射再結合

InGaN量子井戸では結晶欠陥やピエゾ分極が発光効率低下の要因と考えられ、これに対し、UL構造やMQW構造は発光効率向上に有効とされる。しかし、UL構造においては、結晶欠陥の低減やQCSEの緩和など、その発光増強機構には議論の余地がある。本研究では、UL有無およびMQW試料に対し、PA・PL同時測定とTRPL測定を用いて輻射・非輻射再結合速度を分離評価し、各構造の発光増強機構を検討した。