講演情報
[15p-W2_401-6]中性粒子ビームによるGaNマイクロLED作製におけるバイアスパワー依存性
〇王 学論1、大堀 大介2、寒川 誠二3,2 (1.産総研、2.東北大流体研、3.陽明交通大)
キーワード：
マイクロLED、中性粒子ビームエッチング
中性粒子ビームエッチングによるInGaN/GaN緑色マイクロLED作製におけるエッチングレート、発光効率のバイアスパワー依存性を調べた。その結果、バイアスパワーを上げることは中性粒子ビームエッチングの高速化のための有望な手段であることが判明した。