講演情報
[15p-W2_402-1]ポテンシャル揺らぎを考慮したp型Geのリチャードソン定数導出
〇前田 辰郎1、石井 裕之1、陳 家驄1、鯉田 崇1、工藤 晃哉1、張 文馨1 (1.産総研)
キーワード：
ゲルマニウム、ショットキーバリア、リチャードソン定数
本研究では、導電性酸化膜を電極に用いたp型Geショットキー障壁ダイオード(SBD)のI–V特性の温度依存性を解析し、ショットキー障壁のポテンシャル揺らぎを考慮することで、理論値に近いリチャードソン定数(A*)を導出したので報告する.
ゲルマニウム、ショットキーバリア、リチャードソン定数