2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[15p-W2_402-1~12]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2026年3月15日(日) 13:30 〜 16:45
W2_402 (西2号館)
13:30 〜 13:45

[15p-W2_402-1]ポテンシャル揺らぎを考慮したp型Geのリチャードソン定数導出

〇前田 辰郎1、石井 裕之1、陳 家驄1、鯉田 崇1、工藤 晃哉1、張 文馨1 (1.産総研)
13:45 〜 14:00

[15p-W2_402-2]Ge1-xSnx/Ge赤外線検出器におけるSn濃度の検出波長への寄与

〇田中 朋1、石井 裕之2、Rahmat Hadi Saputro2、柴山 茂久3、黒澤 昌志3、中塚 理3、前田 辰郎2 (1.日本電気、2.産総研、3.名古屋大)
14:00 〜 14:15英語発表

[15p-W2_402-3]Ge0.8Sn0.2/n-Ge Heterostructure Grown by Sputtering for Mid-Wave Infrared Photodetectors

〇Rahmat Hadi Saputro1, Tomo Tanaka2, Hiroyuki Ishii1, Kousaku Goto3, Shigehisa Shibayama3, Masashi Kurosawa3, Osamu Nakatsuka3, Tatsuro Maeda1 (1.AIST, 2.NEC Corp., 3.Nagoya Univ.)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-W2_402-4]近赤外光デバイス応用に向けた汎用基板上GeSn薄膜の高品質合成

〇前田 真太郎1,2、石山 隆光1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学、2.学振特別研究員)
14:30 〜 14:45

[15p-W2_402-5]固相成長Ge上GeSiのエピタキシャル成長と分光感度特性

〇小川 顕1、前田 真太郎1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大、2.学振特別研究員)
14:45 〜 15:00

[15p-W2_402-6]メッシュ型Geマイクロブリッジの熱拡散と発光特性の評価

〇臼井 亮祐1、小田島 綾華1,2、石川 陸1、野村 政宏2、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大、2.東大生研)
15:15 〜 15:30

[15p-W2_402-7]CVD-SiGe/Si(110)構造における SiGe 層の臨界膜厚のGe濃度依存性

〇臼田 宏治1、伊波 希宇2,3、熊谷 直人3,4、入沢 寿史3,4、小椋 厚志1,2 (1.明治大学MREL、2.明治大学理工、3.産総研 SFRC、4.LSTC)
15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[15p-W2_402-8]Si(110)オフ基板上SiGe成長における表面構造のオフ方向・角度依存性評価

〇伊波 希宇1,2、臼田 宏治3、熊谷 直人1,4、入沢 寿史1,4、小椋 厚志2,3 (1.産総研 SFRC、2.明治大理工、3.明大MREL、4.LSTC)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー

[15p-W2_402-9](110)Si基板上SiGeエピタキシャル薄膜の表面ハッチが歪に及ぼす影響

〇伊藤 佑太1,2、伊波 希宇1,3、臼田 宏冶4、熊谷 直人3,5、入沢 寿史3,5、小椋 厚志1,4 (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.産総研 SFRC、4.明大MREL、5.LSTC)
16:00 〜 16:15

[15p-W2_402-10]Si(110)上SiGe成長における表面モルフォロジーの温度依存性と平坦化機構

〇(M2)米山 優希1、宇佐美 徳隆1,2,3 (1.名大院工、2.名大未来機構、3.名大未来研)
16:15 〜 16:30

[15p-W2_402-11]Strain Distribution of Local SiGe Virtual Substrate for Self-Ordered Nanodot Fabrication

〇(D)Jongeun Baek1,2, Wei-Chen Wen2, Jon Schlipf2, Andreas Mai2, Katsunori Makihara1,2, Yuji Yamamoto1,2 (1.Nagoya Univ., 2.IHP)
16:30 〜 16:45

[15p-W2_402-12]多層グラフェンの配向性制御と二次電池応用

〇矢吹 和詩1、野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大)
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