講演情報
[15p-W2_402-7]CVD-SiGe/Si(110)構造における SiGe 層の臨界膜厚のGe濃度依存性
〇臼田 宏治1、伊波 希宇2,3、熊谷 直人3,4、入沢 寿史3,4、小椋 厚志1,2 (1.明治大学MREL、2.明治大学理工、3.産総研 SFRC、4.LSTC)
キーワード：
SiGe、Si(110)、臨界膜厚
Beyond 2nm世代のNSチャネルを搭載するGAAFETの実現に向けて、Si(110)上へのSiGe薄膜積層技術の確立が重要である。ここに、SiGe薄膜は、Si(100)上の成膜と比べて、より薄膜で緩和が生じることが予測されており、無欠陥SiGe薄膜の成膜実現に向けて、臨界膜厚の検討が必須である。前回、我々はSiGe/Si(110)に表出するhatchの有無でSiGe薄膜の緩和を評価する方法を検討した。本報告では、その手法を用い、異なるGe濃度のSi(110)上SiGe薄膜の臨界膜厚を検討したので報告する。