講演情報
[15p-W8E_101-1][第3回シリコン系半導体エレクトロニクス業績賞（名取研二業績賞）受賞記念講演] 極薄シリコン酸化膜形成技術の研究開発および不揮発性メモリ技術の量産化への貢献
〇南 眞一1、神垣 良昭1、萩原 隆旦1 (1.日立中研)
キーワード：
極薄シリコン酸化膜、MONOS、不揮発性半導体メモリ
我々は1970年代後半に、集積回路での実現は極めて困難と考えられていた極薄シリコン酸化膜に焦点をあて基礎研究を行なった，さらに基本手法を量産現場へ展開，不揮発性メモリという大きな事業に結びつけ、さらなる事業発展へ繋げた．一方本技術は高集積な電荷トラップ型不揮発性メモリへも適用されている．即ち単に一社の事業展開に留まらず，基礎的プロセス技術を量産技術の最前線まで引き上げており特筆すべき成果と考える．