講演情報
[15p-W8E_101-11]Si/SiO2界面の欠陥の帯電がつくるバンド端状態：理論計算による研究
〇中山 隆史1、飯塚 将太1、浅井 栄大1、千足 勇介1、岡 博史1、稲葉 工1、加藤 公彦1、宮本 聡1、森 貴洋1 (1.産総研)
キーワード：
Si/SiO2界面、帯電欠陥、バンド端状態
量子コンピュータ分野では、低温でのMOS型Siデバイスの利用が期待されている。100K以下では、SS値の飽和、電流への長周期ノイズ等の特異特性が現れ、その原因はSiのバンド端状態と考えられている。しかしバンド端状態の発生起源は未だ明らかでない。本発表では、Si/SiO2界面欠陥の帯電がバンド端状態の発生起源になること、バンド端状態の欠陥･キャリア濃度依存性など、理論計算で解明した結果を報告する。