[15p-W8E_101-1~13] 13.3 絶縁膜技術

14:15 〜 14:30

[15p-W8E_101-3] 2層酸化膜モデルを用いたSi熱酸化膜中Si輸送過程の検討

〇影島 博之¹、Seo Insung¹、秋山 亨²、白石 賢二³ (1.島根大、2.三重大、3.東北大)

キーワード：

Si酸化膜、Si輸送、第一原理計算

我々は前回Si熱酸化膜界面の特徴を良く説明できるcristobalite/quartz/Si(100)界面モデルを提案した。一方で我々は、Si熱酸化過程において、Si酸化膜側に放出される余剰Siが重要な役割を示すことを示してきた。そこで今回は、この２層酸化膜モデルを用いて、余剰Siの酸化膜中の輸送経路とそのエネルギー変化を第一原理計算で検討した。