講演情報
[15p-W8E_101-4]200oC以下の水蒸気雰囲気熱処理による低温酸化Si膜の残留OH基量の低減効果
〇堀田 將1、(M1) 小佐々 誠2、(B) 永江 祥也2、(B) 丸橋 恒太2、片宗 優貴2、和泉 亮2 (1.北陸先端大、2.九工大)
キーワード：
低温Si酸化膜、OH基、アンモニア
酸化Si膜の堆積はより低温で行う事が望まれるが、膜中には多量のOH成分が残留するため、絶縁性が著しく悪い。我々は、Si基板上に190oCで堆積した酸化Si膜をOH基除去効果があるNH3+N2ガスに水蒸気を添加することにより、その効果がさらに促進することを見出している。今回、水蒸気のみで200oC以下の熱処理をしたところ、意外にもNH3ガスに匹敵する効果が得られ、さらにNH3ガスとの併用も試みた。