講演情報
[15p-W8E_101-8]4F2 DRAMの実現へ向けた微細(Φ<25nm)縦型IGZOトランジスタのTDDB信頼性改善
〇神山 晃範1、株柳 翔一1、戸田 将也1、岡田 知治1、浜井 貴将1、藤井 章輔1 (1.キオクシア株式会社)
キーワード：
半導体、DRAM、IGZO
大容量かつ低消費電力なDRAMの実現に向けてIGZOチャネルを用いた縦型トランジスタが注目されているが、TDDBの研究例は少なく、新規材料・プロセスや縦型構造特有の劣化要因は明らかになっていない。本研究では、微細な縦型IGZOトランジスタのTDDBの劣化要因は、ゲートオールアラウンド構造もしくはプロセスに由来した劣化の二種類に分類されることを見出した。さらにプロセス由来の劣化要因をほぼ抑制し、10年以上の絶縁破壊寿命を達成した。