[15p-W8E_101-1~13] 13.3 絶縁膜技術

16:00 〜 16:15

[15p-W8E_101-9] MOSキャパシタにおけるSiO2の絶縁破壊機構の整理
ードライ酸化とウェット酸化の違いの起源ー

〇鳥海 明¹ (1.自由業)

キーワード：

SiO2、絶縁破壊、ドライ酸化ーウェット酸化

ドライ酸化膜とウェット酸化膜の絶縁破壊貴校に関する違いを議論する