講演情報
[15p-W8E_307-1]昇華法によるSiCバルク単結晶の高速成長技術開発
〇加藤 智久1、西口 太郎2、永畑 幸雄3、窪谷 茂幸1、江藤 数馬1、上野 高文4、竹内 啓5、三谷 武志1、百瀬 賢治3 (1.産総研、2.住友電工、3.レゾナック、4.三井金属、5.竹内電機)
キーワード：
炭化ケイ素、単結晶成長、昇華法
昇華法はSiC単結晶成長の量産技術であり、その高効率化は最重要課題である。本研究では成長の高速化、収率の改善などを目指し、昇華法のプロセスの見直しを進めた。高温領域まで成長条件探索を行える昇華炉を開発し、4H多形安定化条件、過飽和度条件等を探索したところ、2500℃条件で2.4〜2.9mm/hの成長速度が得られた。本研究はつくばパワーエレクトロニクスコンステレーション（TPEC）にて行われた共同研究プロジェクトの下で実施された。