2026年第73回応用物理学会春季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-W8E_307-1~16]15.6 IV族系化合物（SiC）

2026年3月15日(日) 13:30 〜 17:45
W8E_307 (西8号館)
13:30 〜 13:45

[15p-W8E_307-1]昇華法によるSiCバルク単結晶の高速成長技術開発

〇加藤 智久1、西口 太郎2、永畑 幸雄3、窪谷 茂幸1、江藤 数馬1、上野 高文4、竹内 啓5、三谷 武志1、百瀬 賢治3 (1.産総研、2.住友電工、3.レゾナック、4.三井金属、5.竹内電機)
13:45 〜 14:00

[15p-W8E_307-2]異方性黒鉛材を用いたSiCバルク単結晶の昇華法成長

〇窪谷 茂幸1、永畑 幸雄2、野口 駿介2、江藤 数馬1、三谷 武志1、藤川 陽平2、百瀬 賢治2、加藤 智久1 (1.産総研、2.レゾナック)
14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-3]高温CVD 法により作製した高抵抗4H-SiC バルク結晶の評価

〇藤榮 文博1、松澤 智1、浅田 聡志1、沓澤 大1、庄内 智博2、土田 秀一1 (1.電中研、2.株式会社レゾナック)
14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-4]溶液成長SiC昇華原料を用いた近接昇華法によるp型SiC層形成の検討

〇(B)北野 平治1、杉本 脩人1、園田 勉2、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、米澤 喜幸2、加藤 正史3、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)
14:30 〜 14:45奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-5]SiC溶液成長におけるメルトバックによるステップバンチング緩和機構の解明

〇杉本 脩人1、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
14:45 〜 15:00奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-6]SiC溶液成長法におけるフェーズフィールド法を用いたマクロステップ進展角度の解析

〇原田 誠也1、伊藤 貴洋1、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、三浦 均3、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名市大院理)
15:00 〜 15:15奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-7]SiC溶液成長における成長表面上の多結晶生成メカニズム解明

〇(M2)杉浦 大輝1、沓掛 健太朗1,2、原田 俊太1,2、宇治原 徹1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-8]イオンビームを用いたビニルシランによるSiC の低温成膜

〇小野 浩毅1、堤 隆嘉1,2、石川 健治1,2、竹内 和歌奈3、上原 賢一4、安原 重雄4、堀 勝2、田中 宏昌1,2 (1.名大院工、2.名大低温プラズマ、3.愛工大、4.ジャパンアドバンストケミカルズ)
15:45 〜 16:00奨励賞エントリー英語発表

[15p-W8E_307-9]Correlation of Carrier Recombination with Structural Defects in 4H-SiC Epitaxial Wafers

〇(M2)LINGLUN YEN1, PoLin Sung1, Anton Visikovskiy2, Satoru Tanaka2, LuSheng Hong1 (1.National Taiwan University of Science and Technology, 2.Kyushu University)
16:00 〜 16:15英語発表

[15p-W8E_307-10]Whole-Wafer Imaging of 6-inch 4H-SiC Wafers using Synchrotron X-ray Topography
at SPring-8 BL16B2

〇(M2)RUI ZHOU1, Weiyuan Xia1, Yuhui Huang1, Kentaro Kajiwara2, Takashi Kameshima2,3, Taito Osaka3, Makina Yabashi3, Takayoshi Shimura1,3 (1.Waseda Univ., 2.JASRI, 3.RIKEN)
16:15 〜 16:30

[15p-W8E_307-11]4H-SiCエピタキシャルウェハ欠陥によるµ-PCD減衰曲線への影響

〇若林 琢巳1,3、林 和志2、藤井 秀夫2、岡野 直樹3、先崎 純寿1 (1.産総研、2.神戸製鋼、3.コベルコ科研)
16:30 〜 16:45

[15p-W8E_307-12]SiC-m面上のSi酸窒化原子層膜の形成と構造評価

〇森 潤平1、クトゥル シュクラン1、寺尾 豊2、顏 聆倫3、洪 儒生3、ビシコフスキー アントン1、田中 悟1,3 (1.九大院工、2.富士電機先端研、3.台湾科技大)
16:45 〜 17:00

[15p-W8E_307-13]同時横方向エピタキシャル成長(SLE)法により形成した3C-SiC/4H-SiC積層エピ断面の微細構造

〇長澤 弘幸1,2、櫻庭 政夫2、武者 倫正2、阿部 真帆2、丹野 健徳2、佐藤 茂雄2 (1.（株）CUSIC、2.東北大通研)
17:00 〜 17:15

[15p-W8E_307-14]Al濃度2.5×1019 cm-3のp型4H-SiCエピ膜のホッピング伝導領域
での抵抗率と(0001)面の格子面間隔との関係性

〇日高 淳輝1、成田 智哉1、黒瀬 翔輝1、菊地 佑真1、梅内 滉武1、岩槻 光栄1、濱田 梨那1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電気通信大学、2.産業技術総合研究所)
17:15 〜 17:30

[15p-W8E_307-15]高濃度Alドープ4H-SiCでの最近接ホッピングの移動度の温度依存性

〇成田 智哉1、日髙 淳輝1、松浦 秀治1、紀 世陽2、江藤 数馬2、児島 一聡2、加藤 智久2、吉田 貞史2 (1.大阪電気通信大学、2.産総研)
17:30 〜 17:45

[15p-W8E_307-16]SiCレーザスライシング加工における熟練者の目視評価の定量化と品質予測モデルの構築

〇安川 滉啓1、長田 圭一1、髙石 将輝1、納谷 剛志2、岩瀨 比宇麻2、川畑 孝志2 (1.アイクリスタル、2.中村留精密工業)
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