講演情報
[15p-W8E_307-11]4H-SiCエピタキシャルウェハ欠陥によるµ-PCD減衰曲線への影響
〇若林 琢巳1,3、林 和志2、藤井 秀夫2、岡野 直樹3、先崎 純寿1 (1.産総研、2.神戸製鋼、3.コベルコ科研)
キーワード：
半導体、シリコンカーバイド、キャリアライフタイム
4H-SiCエピウェハ中の欠陥箇所について、µ-PCD法による評価を行い、減衰曲線の詳細解析を行った。欠陥種毎に異なる減衰曲線の挙動について、エピ中の欠陥構造の特徴とキャリア注入状態を反映した解析は、測定結果とよく一致し、欠陥種毎の構造的特徴解析に有効であることが示唆された。