[15p-W8E_307-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

16:45 〜 17:00

[15p-W8E_307-13] 同時横方向エピタキシャル成長(SLE)法により形成した3C-SiC/4H-SiC積層エピ断面の微細構造

〇長澤 弘幸^1,2、櫻庭 政夫²、武者 倫正²、阿部 真帆²、丹野 健徳²、佐藤 茂雄² (1.（株）CUSIC、2.東北大通研)

キーワード：

炭化ケイ素、エピタキシャル成長、積層欠陥

同時横方向エピタキシャル成長(SLE)法は、4H-SiC層上にDPBフリーの3C-SiCヘテロエピタキシャル成長を可能とする[1]。本研究では、SLE法を用いて作製した3C-SiC/4H-SiC積層エピ構造の積層欠陥分布を断面TEMにより観察し、その発生ならびに抑制機構を考察する。