[15p-W8E_307-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

13:45 〜 14:00

[15p-W8E_307-2] 異方性黒鉛材を用いたSiCバルク単結晶の昇華法成長

〇窪谷 茂幸¹、永畑 幸雄²、野口 駿介²、江藤 数馬¹、三谷 武志¹、藤川 陽平²、百瀬 賢治²、加藤 智久¹ (1.産総研、2.レゾナック)

キーワード：

SiC、昇華法