[15p-W8E_307-1~16] 15.6 IV族系化合物（SiC）

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[15p-W8E_307-4] 溶液成長SiC昇華原料を用いた近接昇華法によるp型SiC層形成の検討

〇(B)北野 平治¹、杉本 脩人¹、園田 勉²、沓掛 健太朗^1,2、原田 俊太^1,2、米澤 喜幸²、加藤 正史³、宇治原 徹^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：

4H-SiC、p型SiC、近接昇華法