[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

13:30 〜 13:45

[15p-W9_324-1] [第47回論文奨励賞受賞記念講演] 190–220 nm帯で発光する岩塩構造MgZnO系UV-Cランプ

〇小川 広太郎¹、三富 俊希¹、矢島 英樹²、高坂 亘¹、日下 皓也¹、小林 剛²、山口 智広¹、本田 徹¹、金子 健太郎³、藤田 静雄³、芹澤 和泉²、尾沼 猛儀¹ (1.工学院大、2.オーク製作所、3.京都大)

キーワード：

酸化マグネシウム亜鉛、ミスト化学気相堆積、超ワイドギャップ半導体

岩塩構造酸化マグネシウム亜鉛(RS-Mg_xZn_1-xO)は、バンドギャップ7.7 eVのMgOを起点として広範なバンドギャップ変調が可能であることから、真空紫外域における発光材料として注目される。本発表では、RS-MgZnOを発光層に用いたUV-Cランプの開発と発光特性を示すとともに、RS-Mg_0.97Zn_0.03O薄膜における外部量子効率を評価した結果について報告する。