[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

17:00 〜 17:15

[15p-W9_324-14] HEATE法によるGa₂O₃/空気DBR共振器構造の作製とDBRの反射特性評価

〇飯島 颯太朗¹、髙橋 勇貴¹、菊池 昭彦^1,2 (1.上智大理工、2.上智大半導体研究所)

キーワード：

酸化ガリウムの異方性エッチング

酸化ガリウム（Ga₂O₃）は広いバンドギャップや高品質単結晶基板が利用可能であり、次世代電子・光デバイス材料として注目されている。本研究では、HEATE法を用いて(010)面β-Ga₂O₃に高アスペクト比の垂直エッチングを施し、可視域で高反射率を示すGa₂O₃/空気DBR共振器構造を作製した。作製した構造の形状評価およびDBR単体の反射特性について報告する。