[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

14:45 〜 15:00

[15p-W9_324-6] コンダクタンス法によるr-GeO2 SBD ショットキー界面特性の評価と解析

〇松田 慎平¹、清水 悠吏¹、大島 孝仁²、河野 愛¹、衣斐 豊祐¹ (1.Patentix（株）、2.NIMS)

キーワード：

ルチル型二酸化ゲルマニウム、ショットキーバリアダイオード、コンダクタンス法

2025年に報告されたr-GeO₂ SBDのI-V特性では、立ち上がり電圧が1.5V程度と予測の半分程度で、また同一基板上でON電流の値が2桁以上の分散が認められた。コンダクタンス法によってショットキー電極界面を解析したところ、トラップ準位への充放電に要する時定数とON電流が反比例の関係を示した。ショットキー界面のトラップ準位に電子がトンネリングする過程が律速となる順方向電流のモデルを提案する。