[15p-W9_324-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

15:30 〜 15:45

[15p-W9_324-8] α-Ga₂O₃/Al₂O₃(0001)界面ミスフィット転位の構造および電子状態の理論解析

〇秋山 亨^1,2、石田 宏樹¹、河村 貴宏^1,2 (1.三重大院工、2.三重大ICSDF)

キーワード：

Ga2O3、転位、第一原理計算