講演情報
[15p-WL2_101-12]VOxセレクタデバイスのオペランド・レーザー励起光電子顕微鏡観察
〇藤原 弘和1,2、バレイユ セドリック3、大川 万里生3、谷内 敏之1,2 (1.東大院新領域、2.東大MIRC、3.東大物性研)
キーワード：
セレクタ、光電子顕微鏡、オペランド観察
クロスポイント型メモリにおけるスニークパス電流抑制には、高性能セレクタデバイスが不可欠である。本研究では、深紫外レーザーによりフェルミ準位近傍の電子状態に高感度なレーザー励起光電子顕微鏡（PEEM）を用い、VO₂セレクタデバイスの金属‐絶縁体転移を電極越しにオペランド観察した。デバイスに印加された電圧に起因するPEEM像の歪み変化の観察に成功し、金属領域可視化の可能性を示した。